CFET SRAM通过优化via结构（FS_rail、BS_BL、PRG）降低寄生电容和电阻，提升读写性能与能效，采用斜角via减少金属缺陷风险，并验证了接触poly间距缩放至40nm时性能优势。 摘要： 在互补场效应晶体管（CFET）技术中，高纵横比（tall aspect ratio）的通孔（vias）在性能 ...